Para casa > produtos > Semicondutores > IXTP10N60P

IXTP10N60P

fabricante:
IXYS
Descrição:
MOSFET 10,0 Amp 600 V 0,74 Ohm Rds
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor::
N-canal
Tecnologia::
Si
Id - Corrente de escoamento contínua::
10 A
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Nome comercial::
PolarHV
Temperatura de funcionamento mínima::
- 55 C
Embalagem / Caixa::
TO-220-3
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 150 C
Modo de canal::
Realce
Vds - Tensão de ruptura da fonte de descarga::
600 V
Embalagem::
Tubos
Vgs th - Tensão de limiar da fonte de entrada::
5 V
Categoria de produtos::
MOSFET
Rds On - Resistência à fonte de drenagem::
740 mOhms
Número de canais::
1 Canal
Vgs - Voltagem da fonte da porta::
30 V
Qg - Carga da porta::
32 nC
Fabricante::
IXYS
Introdução
O IXTP10N60P,da IXYS,é MOSFET.O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global,que estão em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
Produtos relacionados
Imagem parte # Descrição
IXTT500N04T2

IXTT500N04T2

MOSFET Trench T2 Power MOSFET
IXFR30N50Q

IXFR30N50Q

MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
IXFH44N50Q3

IXFH44N50Q3

MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ: