SQJ850EP-T1_GE3
fabricante:
Vishay Semicondutores
Descrição:
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualificado
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor::
N-canal
Tecnologia::
Si
Id - Corrente de escoamento contínua::
24 A
Estilo de montagem::
SMD/SMT
Nome comercial::
TrenchFET
Temperatura de funcionamento mínima::
- 55 C
Embalagem / Caixa::
PowerPAK-SO-8L-4
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 175 C
Modo de canal::
Realce
Vds - Tensão de ruptura da fonte de descarga::
60 V
Embalagem::
Reel
Vgs th - Tensão de limiar da fonte de entrada::
1,5 V
Categoria de produtos::
MOSFET
Rds On - Resistência à fonte de drenagem::
0.019 Ohms
Número de canais::
1 Canal
Vgs - Voltagem da fonte da porta::
+/- 20 V
Qg - Carga da porta::
30 nC
Fabricante::
Vishay Semicondutores
Introdução
O SQJ850EP-T1_GE3, da Vishay Semiconductors, é MOSFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
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