IRG7PH30K10PBF
fabricante:
IR / Infineon
Descrição:
IGBT Transistores Trinch IGBT 1200V 10A IGBT único
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Corrente de vazamento do emissor da porta::
nA 100
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::
33A
Paládio - dissipação de poder::
210 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
1,2 quilovolts
Embalagem / Caixa::
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 175 C
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 30 V
Embalagem::
Tubos
Configuração::
Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::
2,05 V
Fabricante::
IR / Infineon
Introdução
O IRG7PH30K10PBF, da IR / Infineon, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
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