STGF3NC120HD
Especificações
Corrente de vazamento do emissor da porta::
+/- 100 nA
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::
6 A
Paládio - dissipação de poder::
25 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
1200 V
Embalagem / Caixa::
TO-220-3 FP
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 20 V
Embalagem::
Tubos
Configuração::
Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::
2,8 V
Fabricante::
STMicroelectrónica
Introdução
O STGF3NC120HD, da STMicroelectronics, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
Produtos relacionados
Imagem | parte # | Descrição | |
---|---|---|---|
![]() |
STGW25M120DF3 |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
|
Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ: