GT30J121 ((Q)
fabricante:
Toshiba
Descrição:
Transistores IGBT 600V/30A DIS
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
600 V
Embalagem / Caixa::
TO-3P
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 20 V
Configuração::
Solteiro
Corrente contínua do colector a 25oC::
30 A
Fabricante::
Toshiba
Introdução
O GT30J121 ((Q), da Toshiba, são transistores IGBT.o que oferecemos tem preço competitivo no mercado global,que estão em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
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