IGW60T120
fabricante:
Tecnologias Infineon
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Corrente de vazamento do emissor da porta::
nA 600
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::
100 A
Paládio - dissipação de poder::
375 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
1200 V
Embalagem / Caixa::
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::
5,8 V
Embalagem::
Tubos
Configuração::
Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::
2,3 V
Fabricante::
Tecnologias Infineon
Introdução
O IGW60T120, da Infineon Technologies, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ: