NGTB25N120SWG
fabricante:
semi-
Descrição:
Transistores IGBT FSII 25A 1200V Soldadura
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Corrente de vazamento do emissor da porta::
nA 200
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::
50 A
Paládio - dissipação de poder::
385 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
1,2 quilovolts
Embalagem / Caixa::
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 175 C
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 20 V
Embalagem::
Tubos
Configuração::
Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::
2 V
Fabricante::
semi-
Introdução
O NGTB25N120SWG, da onsemi, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
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