IXGK35N120BD1
fabricante:
IXYS
Descrição:
Transistores IGBT 70 Ampères 1200V 3,3 V Rds
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
1200 V
Embalagem / Caixa::
TO-264AA-3
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 20 V
Embalagem::
Tubos
Configuração::
Solteiro
Fabricante::
IXYS
Introdução
O IXGK35N120BD1, da IXYS, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
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