IRGS4B60KD1PBF
Especificações
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
SMD/SMT
Corrente contínua do colector a 25oC::
12 A
Paládio - dissipação de poder::
63 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
600 V
Embalagem / Caixa::
TO-263-3
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 20 V
Embalagem::
Tubos
Configuração::
Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::
2,5 V
Fabricante::
Tecnologias Infineon
Introdução
O IRGS4B60KD1PBF, da Infineon Technologies, são transistores IGBT. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
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