STGYA120M65DF2
fabricante:
STMicroelectrónica
Descrição:
IGBT Transistores IGBT, série M 650 V, 120 A baixa perda
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Corrente de vazamento do emissor da porta::
+/- 250 uA
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::
160 A
Paládio - dissipação de poder::
625 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
650 V
Embalagem / Caixa::
MAX-247-3
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 175 C
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 20 V
Configuração::
Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::
1,65 V
Fabricante::
STMicroelectrónica
Introdução
O STGYA120M65DF2, da STMicroelectronics, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
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STGW25M120DF3 |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
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