IGW03N120H2
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
Transistores IGBT de alta velocidade 2 TECH 1200V 3A
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
1200 V
Embalagem / Caixa::
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 20 V
Embalagem::
Tubos
Configuração::
Solteiro
Fabricante::
Tecnologias Infineon
Introdução
O IGW03N120H2, da Infineon Technologies, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
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