FGL60N100BNTDTU
fabricante:
Fairchild Semiconductor
Descrição:
Transistores IGBT de alta potência
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Corrente de vazamento do emissor da porta::
+/- 500 nA
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::
60 A
Paládio - dissipação de poder::
180 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
1000 V
Embalagem / Caixa::
TO-264-3
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 25 V
Embalagem::
Tubos
Configuração::
Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::
1,5 V
Fabricante::
Fairchild Semiconductor
Introdução
O FGL60N100BNTDTU, da Fairchild Semiconductor, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
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