2N5109 PBFREE
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
400 mA
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de transistor:
NPN
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Frequência - Transição:
1,2 GHz
Pacote:
Em granel
Série:
-
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
20 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-39
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Figura de ruído (dB Typ @ f):
3 dB @ 200 MHz
Potência - Máximo:
1W
Ganho:
-
Embalagem / Caixa:
TO-205AD, metal TO-39-3 pode
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
40 @ 50mA, 15V
Introdução
Transistor de RF NPN 20V 400mA 1.2GHz 1W através do buraco TO-39
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