CLF1G0035S-100
fabricante:
NXP USA Inc.
Descrição:
Transistor de efeito de campo de energia de RF
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares
Série:
*
Mfr:
NXP USA Inc.
Estatuto do produto:
Atividade
Pacote:
Em granel
Introdução
Transistor do RF
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| Imagem | parte # | Descrição | |
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BFS520.135 |
RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3
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BLT80.115 |
RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223
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BFG505/X,215 |
RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
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BFU520AVL |
RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
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BFU530XAR |
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
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BLT81.115 |
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BFU520XAR |
RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
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BFG35.115 |
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BFR505T,115 |
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BFU520W135 |
NPN RF TRANSISTOR
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BFU760F,115 |
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