DXTN3C100PDQ-13
fabricante:
Diodos incorporados
Descrição:
SS Low Sat Transistor PowerDI506
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de transistores bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
3A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
2 NPN (duplos)
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Frequência - Transição:
130MHz
Pacote:
Em granel
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
330mV @ 300mA, 3A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
100 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PowerDI5060-8 (tipo UXD)
Mfr:
Diodos incorporados
Corrente - limite do colector (máximo):
100nA
Potência - Máximo:
1.47W
Embalagem / Caixa:
8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
150 @ 500mA, 10V
Número do produto de base:
DXTN3C100
Introdução
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 100V 3A 130MHz 1.47W PowerDI5060-8 (tipo UXD)
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