HN1C01FE-GR,LXHF
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de transistores bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
150 mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
2 NPN (duplos)
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Frequência - Transição:
80MHz
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
250mV @ 10mA, 100mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
ES6
Mfr:
Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Corrente - limite do colector (máximo):
100nA (ICBO)
Potência - Máximo:
100mW
Embalagem / Caixa:
SOT-563, SOT-666
Temperatura de funcionamento:
150°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
200 @ 2mA, 6V
Número do produto de base:
HN1C01
Introdução
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Montador de superfície ES6
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