2N3811
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de transistores bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
50 mA
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de transistor:
2 PNP (dual)
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Frequência - Transição:
100 MHz
Pacote:
Em granel
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
250 mV @ 1mA, 100 μA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
60 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-78-6
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Corrente - limite do colector (máximo):
10nA (ICBO)
Potência - Máximo:
600 mW
Embalagem / Caixa:
O metal TO-78-6 pode
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
300 @ 1mA, 5V
Número do produto de base:
2N380
Introdução
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Através do Furo TO-78-6
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Imagem | parte # | Descrição | |
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