JAN2N5796
fabricante:
Tecnologia de microchip
Descrição:
Transistor de NPN
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de transistores bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
600 mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
2 PNP (dual)
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Frequência - Transição:
-
Pacote:
Em granel
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/496
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
60 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-78-6
Mfr:
Tecnologia de microchip
Corrente - limite do colector (máximo):
10μA (ICBO)
Potência - Máximo:
600 mW
Embalagem / Caixa:
O metal TO-78-6 pode
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 175°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
100 @ 150mA, 10V
Número do produto de base:
2N5796
Introdução
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 600mA 600mW Através do Buraco TO-78-6
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