NHUMH1X
fabricante:
Nexperia USA Inc.
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de Transistores Bipolares, Pr
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
2 NPN - Pré-viado (dual)
Frequência - Transição:
170MHz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
100 mV @ 500 μA, 10 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
80 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
6-TSSOP
Resistência - Base (R1):
22 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Resistência - Base do emissor (R2):
22 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
100nA
Potência - Máximo:
350mW
Embalagem / Caixa:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
70 @ 10mA, 5V
Número do produto de base:
NHUMH1
Introdução
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) 2 NPN - pré-biasados (dual) 80V 100mA 170MHz 350mW Superfície montada 6-TSSOP
Produtos relacionados
PUMD48.115
NHUMD9X
PBLS4003D,115
PQMH13Z
PUMD10.115
PUMD12/DG/B4X
PUMD17.115
PUMD15.115
PEMB10,115
PUMH1/DG/B3.115
NHUMB9F
PEMH14.115
PEMD4.115
NHUMB11F
PUMH2/DG/B3.115
PUMH13,115
PUMH9.125
Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ: