APTGF100A120T3AG
fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição:
Módulo IGBT 1200V 130A 780W SP3
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
130 A
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
SP3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 100A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SP3
Mfr:
Microsemi Corporation
Temperatura de funcionamento:
-
Corrente - limite do colector (máximo):
250 μA
Tipo IGBT:
TNP
Potência - Máximo:
780 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
6.5 nF @ 25 V
Configuração:
Meia ponte
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Introdução
Módulo IGBT NPT Meia ponte 1200 V 130 A 780 W Montador do chassi SP3
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