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APTGT50TL601G

fabricante:
Tecnologia de microchip
Descrição:
Módulo IGBT 600V 80A 176W SP1
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
80A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
SP1
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 50A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
600 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SP1
Mfr:
Tecnologia de microchip
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
250 μA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
176 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
3.15 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor de três níveis
Termistor NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
APTGT50
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três níveis 600 V 80 A 176 W Montador do chassi SP1
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Resíduos:
MOQ: