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MIEB101H1200EH

fabricante:
IXYS
Descrição:
Módulo IGBT 1200V 183A 630W E3
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
183 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Embalagem / Caixa:
E3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 100A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
E3
Mfr:
IXYS
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
300 µA
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
630 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
7.43 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor completo da ponte
Termistor NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
MIEB101
Introdução
Módulo IGBT Inverter de ponte completa 1200 V 183 A 630 W Montador do chassi E3
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MOQ: