Filtros
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CIs de Circuitos Integrados
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Resíduos | RFQ | |
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MT46H32M32LFB5-5 A TI: B |
IC DRAM 1G PARALÉL 90VFBGA
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Tecnologia Micron
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MT46H16M32LFBQ-5 AAT: C |
IC DRAM 512M PARALÉL 90VFBGA
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Tecnologia Micron
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W25Q16FWSNIQ |
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Electronics
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24AA16-I/MS |
IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8MSOP
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Tecnologia de microchip
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W958D6DBCX7ITR |
IC PSRAM 256M PARALÉL 54VFBGA
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Winbond Electronics
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AT25DN011-MAHFHT-T |
IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8UDFN
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Tecnologias de Adesto
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MT5M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M2M1M2M1M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M |
IC DRAM 2G PARALÉL 84FBGA
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Tecnologia Micron
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MT2M2M2M2M2M2M2M2M2 |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
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Tecnologia Micron
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MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4 |
IC DRAM 512M PARALEL 60VFBGA
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Tecnologia Micron
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W25Q32FVZEIG TR |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON
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Winbond Electronics
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MT41K512M4HX-15E: |
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
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Tecnologia Micron
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W25Q256FVCIF TR |
IC FLASH 256M SPI 24TFBGA
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Winbond Electronics
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MT29F256G08CECCBH6-6C: C |
IC FLASH 256G PARALÉL 167MHZ
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Tecnologia Micron
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D9PRS |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
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Tecnologia Micron
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MTFC4GMVEA-WT |
IC FLASH 32G MMC 153WFBGA
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Tecnologia Micron
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A partir de 1 de janeiro de 2016, a Comissão deve apresentar ao Parlamento Europeu e ao Conselho uma proposta de decisão relativa à aplicação do presente regulamento. |
IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8SOPJ
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ROHM Semicondutor
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MT5B4METAL DE CONTRATAÇÃO |
LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
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Tecnologia Micron
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MT29F16G08CBECBL72A3WC1P |
IC FLASH 16G WAFER PARALEL
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Tecnologia Micron
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MT4A1G8WE-083E AAT:B TR |
IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
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Tecnologia Micron
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MT4M4M4M4M4M4M4 |
IC DRAM 128M PARALEL 54VFBGA
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Tecnologia Micron
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BR25L010FVM-WTR |
IC EEPROM 1K SPI 5MHZ 8MSOP
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ROHM Semicondutor
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MT41K2G8KJR-125: |
IC DRAM 16G PARALÉL 78FBGA
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Tecnologia Micron
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AT25DF321-S3U |
IC FLASH 32M SPI 70MHZ 16SOIC
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Tecnologias de Adesto
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MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR |
MLC EMMC/LPDDR3 280G
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Tecnologia Micron
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MTFC8GACAENS-5M AAT TR |
IC FLASH 64G MMC
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Tecnologia Micron
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W25Q128FVPJQ |
Memória flash IC 128MB
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Winbond Electronics
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MT2F1G08ABCHC: |
IC FLASH 1G PARALÉL 63VFBGA
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Tecnologia Micron
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MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F |
IC FLASH 3T PARALÉL 333MHZ
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Tecnologia Micron
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MT29F4G08ABBDAHC-AIT: |
IC FLASH 4G PARALHEL FBGA
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Tecnologia Micron
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AT45DQ161-MHD2B-T |
IC FLASH 16M SPI 100MHZ 8UDFN
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Tecnologias de Adesto
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PESO MT42L256M16D1GU-18: UM TR |
IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
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Tecnologia Micron
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MTFC4GGQDQ-IT TR |
IC FLASH 32G MMC 100LBGA
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Tecnologia Micron
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BR93G46-3A |
MICROWIRE BUS 1KBIT ((64X16BIT) EE
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ROHM Semicondutor
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MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M |
IC DRAM 128M PARALÉL 90VFBGA
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Tecnologia Micron
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W25Q64FVSCB1 |
IC FLASH 64M SPI 104MHZ
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Winbond Electronics
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MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4 |
IC DRAM 1G PARALÉL 84FBGA
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Tecnologia Micron
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N25Q128A11ESE40F TR |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SOP2
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Tecnologia Micron
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MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR |
IC FLASH 64G PARALÉL 167MHZ
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Tecnologia Micron
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M95256-RMN6P |
IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8SO
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STMicroelectrónica
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MT4M4FN-5B:D TR |
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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Tecnologia Micron
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MT47H32M8BP-3:B TR |
IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
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Tecnologia Micron
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W9812G2KB-6 |
IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
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Winbond Electronics
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MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M |
IC DRAM 64M PARALEL 54TSOP
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Tecnologia Micron
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MT42L64M32D1TK-18 AAT: C TR |
IC DRAM 2G PARALÉL 533MHZ
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Tecnologia Micron
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BR24T02FVJ-WGE2 |
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
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ROHM Semicondutor
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MT29F4G16ABADAM60A3WC1 |
IC FLASH 4G WAFER PARALÉL
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Tecnologia Micron
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MT4A1G4RH-075E:B |
IC DRAM 4G PARALEL 1,33 GHz
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Tecnologia Micron
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MT41K128M8JP-125: G |
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
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Tecnologia Micron
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MT412M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4 |
IC DRAM 256M PARALEL 66TSOP
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Tecnologia Micron
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EPC1PI8N |
DISPOSITIVO 1MBIT 8DIP DA CONFIGURAÇÃO DE IC
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Informações
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