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Memória

Imagemparte #DescriçãofabricanteResíduosRFQ
W25Q256FVCIF TR

W25Q256FVCIF TR

IC FLASH 256M SPI 24TFBGA
Winbond Electronics
MT29F256G08CECCBH6-6C: C

MT29F256G08CECCBH6-6C: C

IC FLASH 256G PARALÉL 167MHZ
Tecnologia Micron
D9PRS

D9PRS

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
Tecnologia Micron
MTFC4GMVEA-WT

MTFC4GMVEA-WT

IC FLASH 32G MMC 153WFBGA
Tecnologia Micron
A partir de 1 de janeiro de 2016, a Comissão deve apresentar ao Parlamento Europeu e ao Conselho uma proposta de decisão relativa à aplicação do presente regulamento.

A partir de 1 de janeiro de 2016, a Comissão deve apresentar ao Parlamento Europeu e ao Conselho uma proposta de decisão relativa à aplicação do presente regulamento.

IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8SOPJ
ROHM Semicondutor
MT5B4METAL DE CONTRATAÇÃO

MT5B4METAL DE CONTRATAÇÃO

LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
Tecnologia Micron
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P

MT29F16G08CBECBL72A3WC1P

IC FLASH 16G WAFER PARALEL
Tecnologia Micron
MT4A1G8WE-083E AAT:B TR

MT4A1G8WE-083E AAT:B TR

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
Tecnologia Micron
MT4M4M4M4M4M4M4

MT4M4M4M4M4M4M4

IC DRAM 128M PARALEL 54VFBGA
Tecnologia Micron
BR25L010FVM-WTR

BR25L010FVM-WTR

IC EEPROM 1K SPI 5MHZ 8MSOP
ROHM Semicondutor
MT41K2G8KJR-125:

MT41K2G8KJR-125:

IC DRAM 16G PARALÉL 78FBGA
Tecnologia Micron
AT25DF321-S3U

AT25DF321-S3U

IC FLASH 32M SPI 70MHZ 16SOIC
Tecnologias de Adesto
MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR

MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR

MLC EMMC/LPDDR3 280G
Tecnologia Micron
MTFC8GACAENS-5M AAT TR

MTFC8GACAENS-5M AAT TR

IC FLASH 64G MMC
Tecnologia Micron
W25Q128FVPJQ

W25Q128FVPJQ

Memória flash IC 128MB
Winbond Electronics
MT2F1G08ABCHC:

MT2F1G08ABCHC:

IC FLASH 1G PARALÉL 63VFBGA
Tecnologia Micron
MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F

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IC FLASH 3T PARALÉL 333MHZ
Tecnologia Micron
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:

MT29F4G08ABBDAHC-AIT:

IC FLASH 4G PARALHEL FBGA
Tecnologia Micron
AT45DQ161-MHD2B-T

AT45DQ161-MHD2B-T

IC FLASH 16M SPI 100MHZ 8UDFN
Tecnologias de Adesto
PESO MT42L256M16D1GU-18: UM TR

PESO MT42L256M16D1GU-18: UM TR

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
Tecnologia Micron
MTFC4GGQDQ-IT TR

MTFC4GGQDQ-IT TR

IC FLASH 32G MMC 100LBGA
Tecnologia Micron
BR93G46-3A

BR93G46-3A

MICROWIRE BUS 1KBIT ((64X16BIT) EE
ROHM Semicondutor
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M

MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M

IC DRAM 128M PARALÉL 90VFBGA
Tecnologia Micron
W25Q64FVSCB1

W25Q64FVSCB1

IC FLASH 64M SPI 104MHZ
Winbond Electronics
MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4

MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4

IC DRAM 1G PARALÉL 84FBGA
Tecnologia Micron
N25Q128A11ESE40F TR

N25Q128A11ESE40F TR

IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SOP2
Tecnologia Micron
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR

MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR

IC FLASH 64G PARALÉL 167MHZ
Tecnologia Micron
M95256-RMN6P

M95256-RMN6P

IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8SO
STMicroelectrónica
MT4M4FN-5B:D TR

MT4M4FN-5B:D TR

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Tecnologia Micron
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
Tecnologia Micron
W9812G2KB-6

W9812G2KB-6

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
Winbond Electronics
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M

MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M

IC DRAM 64M PARALEL 54TSOP
Tecnologia Micron
MT42L64M32D1TK-18 AAT: C TR

MT42L64M32D1TK-18 AAT: C TR

IC DRAM 2G PARALÉL 533MHZ
Tecnologia Micron
BR24T02FVJ-WGE2

BR24T02FVJ-WGE2

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
ROHM Semicondutor
MT29F4G16ABADAM60A3WC1

MT29F4G16ABADAM60A3WC1

IC FLASH 4G WAFER PARALÉL
Tecnologia Micron
MT4A1G4RH-075E:B

MT4A1G4RH-075E:B

IC DRAM 4G PARALEL 1,33 GHz
Tecnologia Micron
MT41K128M8JP-125: G

MT41K128M8JP-125: G

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
Tecnologia Micron
MT412M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4

MT412M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4

IC DRAM 256M PARALEL 66TSOP
Tecnologia Micron
EPC1PI8N

EPC1PI8N

DISPOSITIVO 1MBIT 8DIP DA CONFIGURAÇÃO DE IC
Informações
EPC2LC20

EPC2LC20

IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC
Informações
EPC2TC32N

EPC2TC32N

FPGA - IC de memória de configuração - Ser. Config Mem Flash 1,6 Mb 10 MHz
Altera / Intel
EPC16QC100N

EPC16QC100N

Dispositivo IC CONFIG 16MBIT 100QFP
Informações
EPC4QC100

EPC4QC100

Dispositivo IC CONFIG 4MBIT 100QFP
Informações
EPC8QI100N

EPC8QI100N

Dispositivo IC CONFIG 8MBIT 100QFP
Informações
EPC1213LC20

EPC1213LC20

IC CONFIG DEVICE 212KBIT 20PLCC
Informações
EPC1441TC32N

EPC1441TC32N

Dispositivo IC CONFIG 440KBIT 32TQFP
Informações
EPCQ64SI16N

EPCQ64SI16N

FPGA - IC de memória de configuração - Ser. Config Mem Flash 64Mb 50 MHz
Altera / Intel
EPCE4QC100

EPCE4QC100

IC CONFIG DEVICE 100QFP
Informações
EPCE16QC100

EPCE16QC100

IC CONFIG DEVICE 100QFP
Informações
EPC1441TI32 (em inglês)

EPC1441TI32 (em inglês)

IC CONFIG DEVICE 32TQFP
Informações
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