DMN1019UFDE-7
fabricante:
Diodos incorporados
Descrição:
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos::
MOSFET
Vgs (máximo)::
±8V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C::
11A (Ta)
@ qty::
0
Tipo de FET::
N-canal
Tipo de montagem::
Montagem de superfície
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs::
50.6nC @ 8V
Fabricante::
Diodos incorporados
Quantidade mínima::
3000
Voltagem de accionamento (max Rds On, min Rds On)::
1.2V, 4.5V
Fábrica::
0
Temperatura de funcionamento::
-55°C ~ 150°C (TJ)
Característica FET::
-
Série::
-
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds::
2425pF @ 10V
Pacote do fornecedor::
U-DFN2020-6 (tipo E)
Status da parte::
Atividade
Embalagem::
Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
10 mOhm @ 9,7A, 4,5 V
Dissipação de potência (máximo)::
690 mW (Ta)
Embalagem / Caixa::
6-UDFN expôs a almofada
Tecnologia::
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id::
800 mV @ 250 μA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss)::
12 V
Introdução
O DMN1019UFDE-7, da Diodes Incorporated, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
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