DMN61D8LVT-13
Especificações
Polaridade do transistor::
N-canal
Tecnologia::
Si
Id - Corrente de escoamento contínua::
630 mA 630 mA
Estilo de montagem::
SMD/SMT
Temperatura de funcionamento mínima::
- 55 C
Embalagem / Caixa::
TSOT-26-6
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 150 C
Modo de canal::
Realce
Vds - Tensão de ruptura da fonte de descarga::
60 V, 60 V
Embalagem::
Reel
Vgs th - Tensão de limiar da fonte de entrada::
1.3 V, 1.3 V
Categoria de produtos::
MOSFET
Rds On - Resistência à fonte de drenagem::
1.1 Ohms, 1.1 Ohms
Número de canais::
2o canal
Vgs - Voltagem da fonte da porta::
12 V, 12 V
Qg - Carga da porta::
740 pC,
Fabricante::
Diodos incorporados
Introdução
O DMN61D8LVT-13, da Diodes Incorporated, é MOSFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
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