2SC5606-T1-A
fabricante:
Renesas Electronics America Inc.
Descrição:
Transistor bipolar de sinal pequeno
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
35 mA
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de transistor:
NPN
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Frequência - Transição:
21 GHz
Pacote:
Em granel
Série:
-
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
3.3V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-523
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Figura de ruído (dB Typ @ f):
1.2 dB @ 2 GHz
Potência - Máximo:
115 mW
Ganho:
14 dB
Embalagem / Caixa:
SOT-523
Temperatura de funcionamento:
150°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
60 @ 5mA, 2V
Introdução
Transistor de RF NPN 3.3V 35mA 21GHz 115mW Montador de superfície SOT-523
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