2SC3357-T1-A
fabricante:
Renesas Electronics America Inc.
Descrição:
RF 0.1A, banda de ultra-alta frequência
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
NPN
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Frequência - Transição:
6.5 GHz
Pacote:
Em granel
Série:
-
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
12 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-89
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Figura de ruído (dB Typ @ f):
10,8 dB @ 1 GHz
Potência - Máximo:
1.2W
Ganho:
10 dB
Embalagem / Caixa:
TO-243AA
Temperatura de funcionamento:
150°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
50 @ 20mA, 10V
Introdução
Transistor de RF NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Monte de superfície SOT-89
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