MRF581AG
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
200 mA
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de transistor:
NPN
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Frequência - Transição:
5GHz
Pacote:
Em granel
Série:
-
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
15 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Macro-X
Mfr:
Microsemi Corporation
Figura de ruído (dB Typ @ f):
3 dB ~ 3,5 dB @ 500 MHz
Potência - Máximo:
1.25W
Ganho:
13 dB ~ 15,5 dB
Embalagem / Caixa:
Macro-X
Temperatura de funcionamento:
150°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
90 @ 50mA, 5V
Número do produto de base:
MRF581
Introdução
Transistor de RF NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Monte de superfície Macro-X
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