MS1409
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
1A
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de transistor:
NPN
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Frequência - Transição:
175MHz
Pacote:
Em granel
Série:
-
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
40 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-39
Mfr:
Microsemi Corporation
Figura de ruído (dB Typ @ f):
-
Potência - Máximo:
7W
Ganho:
10 dB
Embalagem / Caixa:
TO-205AD, metal TO-39-3 pode
Temperatura de funcionamento:
200°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
20 @ 100mA, 5V
Introdução
Transistor de RF NPN 40V 1A 175MHz 7W através do buraco TO-39
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Imagem | parte # | Descrição | |
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JAN2N4957 |
RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
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MRF8372G |
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
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