MMBT918
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
50 mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
NPN
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Frequência - Transição:
600MHz
Pacote:
Saco
Série:
-
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
15 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-23-3
Mfr:
Eletrônica de NTE, Inc
Figura de ruído (dB Typ @ f):
6 dB @ 60 MHz
Potência - Máximo:
225mW
Ganho:
15 dB
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
20 @ 3mA, 1V
Introdução
Transistor de RF NPN 15V 50mA 600MHz 225mW Montador de superfície SOT-23-3
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Imagem | parte # | Descrição | |
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NTE55MCP |
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NTE55 |
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NTE65 |
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