NTE55
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
8A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
PNP
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Frequência - Transição:
30 MHz
Pacote:
Saco
Série:
-
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
150 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220
Mfr:
Eletrônica de NTE, Inc
Figura de ruído (dB Typ @ f):
-
Potência - Máximo:
2W
Ganho:
-
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 150°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
40 @ 2A, 2V
Introdução
Transistor RF PNP 150V 8A 30MHz 2W através do buraco TO-220
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Imagem | parte # | Descrição | |
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