Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
20 mA
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de transistor:
NPN
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Frequência - Transição:
700 MHz
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
30 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Mfr:
semi-
Figura de ruído (dB Typ @ f):
2 dB ~ 3 dB @ 200 MHz
Potência - Máximo:
250mW
Ganho:
20 dB ~ 24 dB
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formou ligações
Temperatura de funcionamento:
150°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
40 @ 2mA, 10V
Número do produto de base:
KSC1393
Introdução
Transistor RF NPN 30V 20mA 700MHz 250mW através do buraco TO-92-3
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Imagem | parte # | Descrição | |
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![]() |
BF959ZL1G |
RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
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MSC3930-BT1G |
RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3
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KSC1674RBU |
RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3
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MPSH10_D74Z |
RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
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CPH6021-TL-H |
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SS9018HBU |
RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
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