Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de transistor:
NPN
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Frequência - Transição:
700 MHz
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
20 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92 (TO-226)
Mfr:
semi-
Figura de ruído (dB Typ @ f):
3 dB @ 200 MHz
Potência - Máximo:
625mW
Ganho:
-
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 Corpo longo (cabeças formadas)
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
40 @ 20mA, 10V
Número do produto de base:
BF959
Introdução
Transistor de RF NPN 20V 100mA 700MHz 625mW através do buraco TO-92 (TO-226)
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Imagem | parte # | Descrição | |
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MSC3930-BT1G |
RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3
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KSC1674RBU |
RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3
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MPSH10_D74Z |
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