NSBC123TDP6T5G
fabricante:
semi-
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de Transistores Bipolares, Pr
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
2 NPN - Pré-viado (dual)
Frequência - Transição:
-
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
250 mV @ 1mA, 10mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-963
Resistência - Base (R1):
2.2 kOhms
Mfr:
semi-
Resistência - Base do emissor (R2):
-
Corrente - limite do colector (máximo):
500nA
Potência - Máximo:
339 mW
Embalagem / Caixa:
SOT-963
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
160 @ 5mA, 10V
Número do produto de base:
NSBC123
Introdução
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) 2 NPN - pré-biasados (dual) 50V 100mA 339mW Monte de superfície SOT-963
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