Para casa > produtos > Semicondutores > NSBC114EDP6T5G

NSBC114EDP6T5G

fabricante:
semi-
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Arrays de Transistores Bipolares, Pr
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
2 NPN - Pré-viado (dual)
Frequência - Transição:
-
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
250 mV @ 300 μA, 10 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-963
Resistência - Base (R1):
10kOhms
Mfr:
semi-
Resistência - Base do emissor (R2):
10kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
500nA
Potência - Máximo:
408 mW
Embalagem / Caixa:
SOT-963
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
35 @ 5mA, 10V
Número do produto de base:
NSBC114
Introdução
Transistores bipolares pré-biased (BJT) 2 NPN - pré-biased (dual) 50V 100mA 408mW Mount de superfície SOT-963
Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ: