RN2901FE,LXHF(CT
fabricante:
Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de Transistores Bipolares, Pr
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
2 PNP - Pre-viés (dual)
Frequência - Transição:
200 MHz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
ES6
Resistência - Base (R1):
40,7 kOhms
Mfr:
Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Resistência - Base do emissor (R2):
40,7 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
500nA
Potência - Máximo:
100mW
Embalagem / Caixa:
SOT-563, SOT-666
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
30 @ 10mA, 5V
Número do produto de base:
RN2901
Introdução
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) 2 PNP - Montador de superfície pré-biasado (dual) 50V 100mA 200MHz 100mW ES6
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| Imagem | parte # | Descrição | |
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RN1906, LF(CT |
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RN2965(TE85L,F) |
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RN4905T5LFT |
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RN2704, LF |
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RN1908FE ((TE85L,F) |
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RN1907FE, LF(CT |
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RN2901, LF(CT |
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RN1907, LF(CT |
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RN4981FE, LF(CT |
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RN1602 ((TE85L,F) |
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RN2910, LF(CT |
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