RN1906, LF(CT
fabricante:
Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de Transistores Bipolares, Pr
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
2 NPN - Pré-viado (dual)
Frequência - Transição:
250 MHz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
US6
Resistência - Base (R1):
40,7 kOhms
Mfr:
Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Resistência - Base do emissor (R2):
47 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
500nA
Potência - Máximo:
200mw
Embalagem / Caixa:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Número do produto de base:
RN1906
Introdução
Transistor bipolar pré-biasado (BJT) 2 NPN - pré-biasado (dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Mount de superfície US6
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| Imagem | parte # | Descrição | |
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RN2901FE,LXHF(CT |
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RN2965(TE85L,F) |
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RN4905T5LFT |
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RN2704, LF |
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RN1908FE ((TE85L,F) |
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RN1907FE, LF(CT |
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RN2901, LF(CT |
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RN1907, LF(CT |
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RN4981FE, LF(CT |
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RN1602 ((TE85L,F) |
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RN2910, LF(CT |
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