Filtros
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Transistores
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Resíduos | RFQ | |
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DTC143ZUAT106 |
Transistores bipolares - NPN 50V 100MA SOT-323 pré-viado
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ROHM Semicondutor
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DTA143XETL |
Transistores bipolares - PNP pré-biased 50V 100MA
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ROHM Semicondutor
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PDTD143ETR |
Transistores bipolares - Pré-biasados 500 mA, equipados com resistores NPN de 50 V
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Nexperia
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NSVMMUN2112LT1G |
Transistores bipolares - SS SOT23 BR XSTR PNP 50V pré-biasados
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semi-
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DTA144EM3T5G |
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semi-
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UMA10NTR |
Transistores bipolares - PNP duplo pré-biasado 50V 100MA
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ROHM Semicondutor
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EMH10T2R |
Transistores bipolares - NPN duplo pré-biasado 50V 100MA
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ROHM Semicondutor
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A partir de 1 de janeiro de 2014 |
Transistores bipolares - SS BR XSTR SPCL TR pré-biasados
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semi-
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BOMBA15.115 |
Transistores bipolares - TRNS pré-biasado DOUBLE RET TAPE7
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Nexperia
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SMUN5315DW1T1G |
Transistores Bipolares - SS BR XSTR DUAL 50V pré-biasados
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semi-
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FMA3AT148 |
Transistores bipolares - PNP duplo pré-biasado 50V 100MA
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ROHM Semicondutor
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PDTD143EUX |
Transistores bipolares - Pré-biasados 500 mA, equipados com resistores NPN de 50 V
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Nexperia
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NSBA114TF3T5G |
Transistores Bipolares - Transistores SOT-1123 PBRT pré-biasados
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semi-
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MMUN2114LT1G |
Transistores bipolares - Pré-biased 100mA 50V BRT PNP
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semi-
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BCR 142W H6327 |
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Tecnologias Infineon
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RN2111MFV,L3F |
Transistores Bipolares - Resistente de Bias Pré-Biasado Transistores embutidos
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Toshiba
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UMH6NTR |
Transistores bipolares - NPN duplo pré-biasado 50V 30MA
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ROHM Semicondutor
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DTC123JM3T5G |
Transistor bipolares - 100mA Pre-inclinado 50V NPN BRILHANTE
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semi-
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RN1901 ((T5L,F,T) |
Transistores Bipolares - Trans BRT NPN US6, 50V, 100A 100mA
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Toshiba
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PDTB114EQAZ |
Transistores bipolares - PDTB114EQA/DFN1010D-3/REEL 7 pré-biasados
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Nexperia
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DTA023YUBTL |
Transistores Bipolares - Transistores Digitais PNP Pre-Biased com resistência
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ROHM Semicondutor
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SMUN5214DW1T1G |
Transistores bipolares - SS BR XSTR NPN 50V pré-biasados
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semi-
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DTC114YKAT146 |
Transistores bipolares - DIGITL NPN 50V 70MA pré-biasado
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ROHM Semicondutor
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DTA014YEBTL |
Transistores Bipolares - Transistores Digitais PNP Pre-Biased com resistência
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ROHM Semicondutor
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RN1311(TE85L,F) |
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Toshiba
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IRF7530PBF |
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
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Tecnologias Infineon
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STW43NM60ND |
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
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STMicroelectrónica
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IRF7757TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
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Tecnologias Infineon
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A partir de 1 de janeiro de 2018 |
Diodo de barreira de Schottky
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Fuji elétrico
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IPP60R280E6XKSA1 |
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
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Tecnologias Infineon
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IRF1404STRLPBF |
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
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IR / Infineon
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STF10NM60ND |
MOSFET N-CH 600V 8A a 220FP
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STMicroelectrónica
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IPD50R950CEBTMA1 |
MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE
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Tecnologias Infineon
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IRFU5410PBF |
MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38,7nC
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Tecnologias Infineon
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AUIRF2804WL |
MOSFET 40V 295A 1.8mOhm MOSFET automóvel
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IR / Infineon
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IRF7815PBF |
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
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Tecnologias Infineon
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SUD50N06-09L-E3 |
MOSFET 60V 50A 136W 9,3mohm @ 10V
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Vishay Semicondutores
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BS170_D26Z |
MOSFET Modo de Reforço N-Ch Efeito de Campo
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Fairchild Semiconductor
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ZXMP3A16DN8TA |
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
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Diodos incorporados
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IRFR6215TR |
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
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Tecnologias Infineon
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IPP90R800C3 |
MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO220-3 CoolMOS C3
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Tecnologias Infineon
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BSS127S-7 |
MOSFET N-CH 600V 0,05A SOT23
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Diodos incorporados
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FDP5N60NZ |
MOSFET 600V MOSFET de canal N, UniFET-II
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Fairchild Semiconductor
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Ativos de capital próprio |
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
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Instrumentos do Texas
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PMV32UP,215 |
MOSFET P-CH -20 V -4 A
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Nexperia
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IPP80N03S4L03AKSA1 |
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
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Tecnologias Infineon
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STF10NM60N |
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
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STMicroelectrónica
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DMT6009LFG-7 |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Rdson baixo
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Diodos incorporados
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STW40N95K5 |
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
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STMicroelectrónica
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NTR5105PT1G |
MOSFET PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
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semi-
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