Filtros
Filtros
Transistores
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Resíduos | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ850EP-T1_GE3 |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualificado
|
Vishay Semicondutores
|
|
|
|
|
|
DMN1019UFDE-7 |
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
IRF7807D1TRPBF |
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IPB160N04S4LH1ATMA1 |
MOSFET N-CH TO263-7
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
SIS892ADN-T1-GE3 |
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
|
Vishay Semicondutores
|
|
|
|
|
|
IXTP10N60P |
MOSFET 10,0 Amp 600 V 0,74 Ohm Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
A partir de 1 de janeiro de 2018: |
MOSFET 30V 14.8A 5.2W 13.5mohm @ 10V
|
Siliconix / Vishay
|
|
|
|
|
|
IRFR24N15DTRPBF |
MOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
DMNH4015SSD-13 |
MOSFET 2 N-CANAL 11A 8SO
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
TPHR6503PL,L1Q |
MOSFET 30 Volt N-Channel
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
NTMFD4C20NT3G |
MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
|
semi-
|
|
|
|
|
|
NVMFD5C462NT1G |
40V 5,4 MOHM T8 S08FL DUA
|
semi-
|
|
|
|
|
|
IPA65R420CFDXKSA1 |
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
CPC3909ZTR |
MOSFET 400V FET em modo de esgotamento do canal N
|
Circuitos integrados IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFH44N50Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRLR8721TRPBF |
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
FDPC4044 |
MOSFET 2N-CH 8MLP
|
semi-
|
|
|
|
|
|
BSD235NH6327XTSA1 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFSL4010PBF |
MOSFET MOSFT 100V 180A 4,7mOhm 143nC
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
DMN2400UFDQ-7 |
MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Portão 1.0V
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
IRFR13N15DTRL |
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IPB80N06S205ATMA1 |
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
BSP135 E6327 |
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IPA65R125C7XKSA1 |
O MOSFET de alta potência é o melhor da sua classe
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF3808STRLPBF |
MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC40KPBF |
IGBT 600V 42A 160W TO220AB
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IKD03N60RFAATMA1 |
IGBT 600V 5A 53,6W TO252-3
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IKW30N65EL5XKSA1 |
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGS4064DTRLPBF |
IGBT 600V 20A 101W D2PAK
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
2MBI300P-140 |
1400V/300A IGBT de dois pacotes
|
Fuji elétrico
|
|
|
|
|
|
FZ900R12KP4 |
Modulos IGBT IGBT 1200V 900A
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGC4630B |
Wafer de chip IGBT
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
FS450R17OE4 |
Modulos IGBT Modulo IGBT 450A 1700V
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
- Não, não, não. |
Módulos de IGBT
|
SEMIKRON
|
|
|
|
|
|
6PS18012E4FG35689NWSA1 |
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4RC10SDTRPBF |
IGBT 600V 14A 38W DPAK
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IGP40N65F5XKSA1 |
IGBT 650V 74A 255W PG-TO220-3
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40KDPBF |
IGBT 600V 42A 160W TO247AC
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG7PH28UD1PBF |
IGBT 1200V 30A 115W TO247AC
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGC4059B |
Wafer de chip IGBT
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
DD160HB160 |
Módulo de diodo
|
Sansha Electric
|
|
|
|
|
|
IRGS4615DPBF |
IGBT 600V 23A 99W D2PAK
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
FS225R12KE3 |
Modulos IGBT 1200V 225A de 3 fases
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGS6B60KTRLPBF |
IGBT 600V 13A 90W D2PAK
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
7MBR15SA120 |
|
Fuji elétrico
|
|
|
|
|
|
SK80TMLI12F4TP |
Módulos de IGBT
|
SEMIKRON
|
|
|
|
|
|
FF150R12KS4HOSA1 |
Módulo IGBT VCES 1200V 150A
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
7MBR20XKA065-50 |
Modulos IGBT 650V da série X
|
Fuji elétrico
|
|
|
|
|
|
FF200R06KE3 |
Modulos IGBT N-CH 600V 260A
|
Tecnologias Infineon
|
|
|
|
|
|
FS150R07N3E4 |
Módulo IGBT Módulo IGBT 150A 650V
|
Tecnologias Infineon
|
|
|