Filtros
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Semicondutores discretos
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Resíduos | RFQ | |
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BSZ075N08NS5ATMA1 |
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
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Tecnologias Infineon
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IXTT500N04T2 |
MOSFET Trench T2 Power MOSFET
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IXYS
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IXFR30N50Q |
MOSFET 30 Amp 500V 0,16 Rds
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IXYS
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IPP65R190C6XKSA1 |
MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3
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Tecnologias Infineon
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IRF5800TRPBF |
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
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Tecnologias Infineon
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FDZ193P |
MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP
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Fairchild Semiconductor
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IPW60R099P6XKSA1 |
MOSFET N-CH 600V TO247-3
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Tecnologias Infineon
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FDS6910 |
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
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semi-
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IPP60R330P6XKSA1 |
MOSFET POWER_LEGACY baixo
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Tecnologias Infineon
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PMPB43XPE,115 |
MOSFET PMPB43XPE/SOT1220/REEL 7" Q1/T
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Nexperia
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IRF6646TR1 |
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
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Tecnologias Infineon
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CSD17318Q2T |
MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
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Instrumentos do Texas
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IPD60R2K1CEAUMA1 |
MOSFET CONSUMIDOR
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Tecnologias Infineon
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STP46NF30 |
MOSFET N CH 300V 42A a 220
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STMicroelectrónica
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FDN338P |
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3
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semi-
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SIS 472DN-T1-GE3 |
MOSFET 30 Volts 20 Ampères 28 Watts
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Vishay Semicondutores
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BSS138W |
MOSFET 50V N-CH Nível lógico
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Fairchild Semiconductor
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NTMD2C02R2G |
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
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semi-
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STF7NM80 |
MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
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STMicroelectrónica
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FDS4685 |
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
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semi-
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IPD127N06LGBTMA1 |
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
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Tecnologias Infineon
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DMN61D8LVT-13 |
MOSFET 60V Diodo de comutação 1.8 Ohm a 5Vgs 470mA
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Diodos incorporados
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DMC1229UFDB-13 |
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
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Diodos incorporados
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NTMFS4823NT1G |
MOSFET NFET SO8FL 30V
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semi-
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IRFR1205 |
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
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Tecnologias Infineon
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SQJ850EP-T1_GE3 |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualificado
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Vishay Semicondutores
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DMN1019UFDE-7 |
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
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Diodos incorporados
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IRF7807D1TRPBF |
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
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Tecnologias Infineon
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IPB160N04S4LH1ATMA1 |
MOSFET N-CH TO263-7
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Tecnologias Infineon
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SIS892ADN-T1-GE3 |
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
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Vishay Semicondutores
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IXTP10N60P |
MOSFET 10,0 Amp 600 V 0,74 Ohm Rds
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IXYS
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A partir de 1 de janeiro de 2018: |
MOSFET 30V 14.8A 5.2W 13.5mohm @ 10V
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Siliconix / Vishay
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IRFR24N15DTRPBF |
MOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC
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Tecnologias Infineon
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DMNH4015SSD-13 |
MOSFET 2 N-CANAL 11A 8SO
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Diodos incorporados
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TPHR6503PL,L1Q |
MOSFET 30 Volt N-Channel
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Toshiba
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NTMFD4C20NT3G |
MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
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semi-
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NVMFD5C462NT1G |
40V 5,4 MOHM T8 S08FL DUA
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semi-
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IPA65R420CFDXKSA1 |
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
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Tecnologias Infineon
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CPC3909ZTR |
MOSFET 400V FET em modo de esgotamento do canal N
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Circuitos integrados IXYS
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IXFH44N50Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
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IXYS
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IRLR8721TRPBF |
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
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Tecnologias Infineon
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FDPC4044 |
MOSFET 2N-CH 8MLP
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semi-
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BSD235NH6327XTSA1 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
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Tecnologias Infineon
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IRFSL4010PBF |
MOSFET MOSFT 100V 180A 4,7mOhm 143nC
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Tecnologias Infineon
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DMN2400UFDQ-7 |
MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Portão 1.0V
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Diodos incorporados
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IRFR13N15DTRL |
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
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Tecnologias Infineon
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IPB80N06S205ATMA1 |
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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Tecnologias Infineon
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BSP135 E6327 |
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
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Tecnologias Infineon
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IPA65R125C7XKSA1 |
O MOSFET de alta potência é o melhor da sua classe
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Tecnologias Infineon
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IRF3808STRLPBF |
MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
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Tecnologias Infineon
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