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Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biased
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Resíduos | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IMH6AT108 |
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ROHM Semicondutor
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RN1908FE ((TE85L,F) |
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Toshiba Semicondutores e Armazenamento
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BCR133SH6327XTSA1 |
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Tecnologias Infineon
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RN1907FE, LF(CT |
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Toshiba Semicondutores e Armazenamento
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PUMD10.115 |
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Nexperia USA Inc.
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DCX124EK-7-F |
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Diodos incorporados
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BCR22PNE6327BTSA1 |
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Tecnologias Infineon
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PUMD12/DG/B4X |
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Nexperia USA Inc.
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SMUN5312DW1T1G |
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semi-
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PUMD17.115 |
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Nexperia USA Inc.
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DDA124EH-7 |
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Diodos incorporados
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BCR135SH6327XTSA1 |
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Tecnologias Infineon
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PUMD15.115 |
|
Nexperia USA Inc.
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MUN5316DW1T1G |
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semi-
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NSBC123JPDXV6T5 |
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semi-
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RN2901, LF(CT |
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Toshiba Semicondutores e Armazenamento
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RN1907, LF(CT |
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Toshiba Semicondutores e Armazenamento
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SMUN5214DW1T1G |
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semi-
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NHUMH1X |
|
Nexperia USA Inc.
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RN4981FE, LF(CT |
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Toshiba Semicondutores e Armazenamento
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EMG2DXV5T5G |
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semi-
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DDA143EH-7 |
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Diodos incorporados
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UP0431300L |
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Componentes eletrónicos da Panasonic
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PEMB10,115 |
|
Nexperia USA Inc.
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DMG264050R |
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Componentes eletrónicos da Panasonic
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NSBC123TDP6T5G |
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semi-
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DMC562050R |
|
Componentes eletrónicos da Panasonic
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PUMH1/DG/B3.115 |
|
Nexperia USA Inc.
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UMB6NTR |
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ROHM Semicondutor
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NSM46211DW6T1G |
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semi-
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RN1602 ((TE85L,F) |
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Toshiba Semicondutores e Armazenamento
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BCR08PN |
TR DIGITAL,SOT-363,50V,100MA
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Diotec Semicondutor
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UMF21N-TP |
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Micro Co comercial
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RN2910, LF(CT |
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Toshiba Semicondutores e Armazenamento
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UMA3NTR |
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ROHM Semicondutor
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BCR119SE6327BTSA1 |
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Tecnologias Infineon
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NHUMB9F |
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Nexperia USA Inc.
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PEMH14.115 |
|
Nexperia USA Inc.
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DMC261000R |
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Componentes eletrónicos da Panasonic
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DMC2640L0R |
|
Componentes eletrónicos da Panasonic
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PEMD4.115 |
|
Nexperia USA Inc.
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ADA114YUQ-7 |
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Diodos incorporados
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NHUMB11F |
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Nexperia USA Inc.
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EMF5XV6T5 |
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semi-
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PUMD6,115 |
|
NXP USA Inc.
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PUMH2/DG/B3.115 |
|
Nexperia USA Inc.
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PUMH13,115 |
|
Nexperia USA Inc.
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IMD6AT108 |
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ROHM Semicondutor
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PUMH9.125 |
|
Nexperia USA Inc.
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DMC9640N0R |
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Componentes eletrónicos da Panasonic
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